技术编号：10625875
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。提出了一种场效应晶体管(以下称为鳍片式场效应晶体管，简写为FinFET)，其以抑制伴随微型化而产生的短沟道效应等为目的，具有从衬底平面向上方突出的突起半导体层，至少在该突起半导体层的与衬底平面大致垂直的两平面(两侧面)形成沟道区域(例如，国际公开2006/132172号)AinFET成为在二维的衬底上建立三维的构造的形状，若衬底面积相同，则与平面的晶体管相比栅极体积变得更大。由于构成为栅极“包裹”沟道的构造，所以栅极的沟道控制性高，大幅度削减了在器件截止状...
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