技术编号：10625890
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 非易失性存储器（non-volatile memory)可进行多次数据的存入、读取、擦除等操 作，且即使电源供应中断，所储存的数据也不会消失。因此，非易失性存储器已成为许多电 子产品中必须具备的存储元件，以维持电器产品开机时的正常操作。 然而，随着半导体元件的尺寸日益缩减，传统水平式存储元件（horizontal memory device)的短通道效应（short channel effect)将会变得愈来愈严重。此现象将 导致存储元件中第二位效应（2...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。