技术编号:10625931
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 近年来,高压金氧半导体元件已广泛地应用在各种电源集成电路或智能型电源集成电路上。高压金氧半导体元件在使用上需具有高击穿电压(breakdown voltage)与低的开启电阻(〇n-state resistance ;Ron),以提高元件的效能。为了提升半导体元件的击穿电压,终端结构的设计就变得相当重要。随着半导体元件的集成度的日益提升,半导体元件的尺寸也随之缩小。因此,如何在元件缩小的情形下,维持甚至是提升原本的击穿电压,已成为业者亟为重视的议题之一。...
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