技术编号:10625950
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现有技术中,常见的半导体器件结构通常包括位于衬底表面上的依次层叠设置的第一栅极和第二栅极,以及位于衬底表面上且靠近于第一栅极的第三栅极,其中第一栅极通过极间氧化层与第二栅极隔离。例如,浮栅型非易失性存储器件包括依次层叠设置于衬底表面上的浮栅、极间氧化层和控制栅,位于衬底表面上且靠近浮栅的选择栅,以及位于浮栅两侧的衬底中以及选择栅两侧的衬底中的源极和漏极。浮栅场型非易失性存储器件的工作原理为在漏极和选择栅上施加编程电压并且使源极接地时,浮栅上形成电子,该电子...
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