技术编号：10626005
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在III族氮化物半导体发光器件中，其中重复地沉积有阱层和势皇层的MQW结构被广泛地用作发光层。阱层由InGaN形成并且具有相同的In组成比。日本专利第3433038号描述了最靠近η型覆层的阱层的In组成比以及最靠近P型覆层的阱层的In组成比与在中央的阱层的In组成比相比减小，从而释放了从η型覆层和P型覆层施加至发光层的应力。日本公开特许公报(特开)第2014-110396号描述了nESD层(η侧防静电击穿层)形成在η型接触层与η型覆层之间，从而在nESD层...
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