技术编号:10627585
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,电磁炉的电路方案主要为单管IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)方案,通过判断线圈盘和谐振电容两端的分压值,以根据同步比较信号翻转开通IGBT。但是IGBT只能凭经验值开通,为了防止IGBT超前或滞后开通,IGBT仅工作在很窄的工作区间,并且当盘间距、电压、锅具等因素发生变化时无法做出相应的判断,使得IGBT很容易工作于超前或滞后状态,从而使得IGBT的热量非常大,而由于电磁炉一般具有过热保护...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。