技术编号：10628136
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 相变存储器是通常将硫族化物材料用于存储器元件的存储器装置。存储器元件是 实际存储信息的单位。在操作中，相变存储器通过在非晶相与结晶相之间改变存储器元件 的相来在存储器元件上存储信息。硫族化物材料可呈现或结晶相或非晶相，展现低或高导 电率。一般地，非晶相具有低导电率(高阻抗），并且与复位状态(逻辑零)关联，W及结晶相 具有高导电率(低阻抗)并且与置位状态(逻辑一）关联。存储器元件可包括在存储器单元 中，存储器单元还包括选择器、即禪合到存储器元件的选择装置。...
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