技术编号：10628161
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。—种延伸漏极金属氧化物半导体(MOS)晶体管的特征可以是导通状态下的晶体管的电阻、晶体管在含有该晶体管的衬底的顶表面处占用的横向面积以及在晶体管的漏极节点与源极节点之间限制晶体管的最大工作电势的击穿电势。可能期望针对导通状态电阻和击穿电势的给定值而减小晶体管的面积。减小面积的一种技术是在垂直方向上在延伸漏极中配置漂移区，使得漂移区中的漏极电流垂直于衬底的顶表面流动。利用平面处理工艺将垂直定向漂移区集成在半导体器件中而同时维持期望的加工成本和复杂度可能是有问...
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