应用于辐照试验的芯片封装结构及其制作方法技术资料下载

技术编号:10652669

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单粒子效应试验主要考核星上大规模和超大规模基础电路抗单粒子效应的能力。 通过加速器模拟试验和锎源试验获得大规模集成电路的单粒子翻转截面和翻转阈值,再结合卫星具体轨道环境和元器件的工艺参数预示元器件在轨单粒子翻转率。单粒子效应地面模拟试验技术主要是宽束辐照技术、微束辐照技术。宽束辐照试验具有离子束斑面积大、离子能量高、辐照效率高等特点。但由于宽束辐照束斑大,测量得到的器件响应是被辐照的所有电路单元的响应的组合效果,无法得到器件响应的详细信息。微束辐照试验束斑...
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