技术编号:10653422
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在非易失性存储器中有时因宇宙射线等影响而发生软件错误例如带备用电池的SRAM(只是短暂性的不良并非半导体或电子部件等硬件损坏的不良),或者缓缓地释放蓄积的电荷而引起数据错误例如NAND FLASH(NAND闪存)。不论在哪一情况下,在数据错误累积而由于ECC等无法进行错误修正之前通过重新写入正确的数据能够没有问题地继续使用装置,但是为了较早地检测出数据错误,需要定期读出非易失性存储器的数据。但是,一般在装置的电源被切断的状态下不能读出非易失性存储器的数据,...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。