减少无定形碳硬掩模膜的碳-氢含量的系统及方法技术资料下载

技术编号:10658193

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这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此背景技术部分中描述的程度上的当前指定的发明人的工作,以及在提交申请时可能无法以其他方式有资格作为现有技术的说明书的各方面,既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。用于执行沉积和/或蚀刻的衬底处理系统通常包括带有基座的处理室。例如半导体晶片之类的衬底可以被布置在基座上。例如在化学气相沉积(CVD)工艺中,包括一种或多种前体的气体混合物可被引入到处理室中以在衬底上沉积膜或蚀刻衬底。在一些衬底处理系统...
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