技术编号:10658200
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低温多晶娃技术)产线进行激光退火 (ELA)是在a-Si (非晶硅)沉积完成后对整张玻璃基板上的a-Si进行激光退火,在完成ELA 后,玻璃基板表面上所有a-Si都转换为p-Si(多晶硅),为保证源极(S)、漏极(D)和p-Si欧姆接触,需要进行SD Doping(掺杂)工艺,而掺杂工艺需要购买昂贵的掺杂设备并进行特气管路改造等,设备投入较大。此外,LTPS工艺复杂且很难保证大面积均一...
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