技术编号：10658201
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本文提供的背景描述的目的是总体上呈现本公开的背景。本发明署名的发明人的 工作，就其在该技术背景部分以及说明书的一些方面中所描述的、可能不符合作为提交时 的现有技术的工作而言，既不明确也不暗示地承认其作为本公开的现有技术。 用于进行沉积和/或蚀刻的衬底处理系统包括具有基座的处理室。衬底(例如半导 体晶片)可以放置在基座上。例如，在化学气相沉积(CVD)工艺中，包括一种或多种前体的气 体混合物可被引入到处理室中，以在衬底上沉积膜或蚀刻衬底。在某些衬底处理系统...
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