技术编号:10658203
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 屏蔽栅功率MOSFET需要在沟槽栅的底部形成屏蔽栅,屏蔽栅和沟槽栅一般都采用 多晶硅组成,在屏蔽栅和沟槽栅之间需要通过多晶硅间隔离氧化硅进行隔离。现有方法中, 多晶硅间隔离氧化硅有两种形成方法,第一种是通过在屏蔽栅形成后,采用高密度等离子 体化学气相淀积(HDP CVD)工艺淀积氧化硅来填充屏蔽栅顶部的沟槽,之后对氧化硅进行 回刻形成多晶硅间隔离氧化硅;第二种方法是通过采用热氧化工艺的方法形成多晶硅间隔 离氧化硅,该多晶硅间隔离氧化硅和位于顶部沟槽侧面的...
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