技术编号：10658213
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。通常通过沉积、生长、图案化和蚀刻一系列的层形成固态器件。不同的层可以包括导电、半导电或绝缘材料。通常地，各向异性地蚀刻这样的层以形成固态器件的各种原件。 各向异性蚀刻也可以用来去除各层而不会破坏先前形成的元件。各向异性蚀刻可以称为干蚀刻。干蚀刻可以是反应离子蚀刻(RIE)或氩溅射操作。然而，各向异性蚀刻的一个问题是它们通常留下副产物的残留层。这些副产物可以是干扰诸如硅化物形成的后续半导体处理的污染物。由于这种原因，湿蚀刻因此结合至各向异性蚀刻操作。可以在各...
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