沟槽功率器件及制作方法技术资料下载

技术编号:10658285

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半导体技术中,功率分立器件包括功率M0SFET、大功率晶体管和IGBT等器件。早期 功率器件均是基于平面工艺生产,但随着半导体技术的发展,小尺寸、大功率、高性能成了 半导体发展的趋势。沟槽工艺由于将沟道从水平变成垂直,消除了平面结构寄生JFET电阻 的影响,使元胞尺寸大大缩小,在此基础上增加原胞密度,提高单位面积芯片内沟道的总宽 度,就可以使得器件在单位硅片上的沟道宽长比增大从而使电流增大、导通电阻下降以及 相关参数得到优化,实现了更小尺寸的管芯拥有更大...
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