技术编号：10658305
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 随着存储器工艺的不断发展，器件的尺寸不断的缩小，读操作的电流也随之越来 越小。而因为读操作电流的迅速变小，也同时压缩了存储器的工艺窗口。例如在2T S0N0S存 储器中，如果与S0N0S管串联的选择管饱和电流太小，就会影响到2T的整体的读电流，严重 时即使S0N0S管处于正常的擦除状态，读电流还是会受到选择管的影响而偏小，甚至无法达 到参考电流而出现假性的"无法擦除失效"。 图1示出了0.13um S0N0S平台下的某产品的测试效果图，因为原有的工艺的窗...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。