技术编号:10658356
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 集成电路(1C)和其他电子设备通常包括互相连接的场效应晶体管(FET)布置,也 被叫做金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)或者简称为M0S晶体管或器件。典型的M0S 晶体管包括作为控制电极的栅电极以及间隔开的源电极和漏电极。施加于栅电极的控制电 压控制电流流过源电极和漏电极之间的可控导电沟道。 功率晶体管器件被设计为耐高电流和高电压,其中,所述高电流和高电压出现在 诸如运动控制、气囊展开和汽车燃油喷射器驱动器的动力应用中。一种类型的功率M0S晶体...
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