技术编号:10658367
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 互补金属氧化物半导体(CMOS)装置使用布置在硅或绝缘体上硅(SOI)衬底上的对 称取向的P型和η型金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)对。与M0SFET关联的源极区和 漏极区由沟道连接。布置在沟道上方的栅极控制源极区和漏极区之间的电流流动。源极区、 沟道和漏极区可以由鳍限定,该鳍提供了多于一个表面,栅极通过该多于一个表面控制电 流流动,由此使得M0SFET为"f inFET"器件。 动态随机访问存储器(DRAM)采用如下的存储单元,该存储单元具...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。