技术编号:10658429
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。作为电可写入/可擦除非易失性半导体存储单元,EEPROM(电可擦除和可编程只读存储器)得到广泛使用。这种存储单元是具有由在MISFET的栅极电极下方的氧化物膜或者捕获绝缘膜围绕的导电浮置栅极电极的单元,并且是在浮置栅极或者捕获绝缘膜(电荷保持部分)中的电荷累积状态被用作存储器数据的单元,并且该数据作为晶体管的阈值被读出。捕获绝缘膜是在其中可以累积电荷的绝缘膜。其一个示例是氮化硅膜。通过将电荷注入到这种电荷累积区域中并且从其放出电荷,来使MISFET的阈值偏...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。