技术编号:10658471
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体器件技术不断进入亚微米、深亚微米,静电释放保护器件可靠性变得越来越重要。为了克服轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain,LDD)结构带来的静电释放保护能力下降的问题,静电释放离子注入(ESD impIant)技术配合娃化物挡板(Salicideblocking,SAB)工艺,可以获得很好的效果。通常,ESD器件需要硅化物挡板SAB掩膜来提高NMOS的ESD保护能力,而减少掩膜可以显著降低成本,特别对于纳米级集成电路设计和制造尤其重要。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。