技术编号:10658507
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。铜铟镓砸材料(CIGS)属于1-1I1-VI族四元化合物半导体,具有黄铜矿的晶体结构。铜铟镓砸薄膜太能电池自20世纪70年代出现以来,得到非常迅速的发展,并将逐步实现产业化。此电池有以下特点1)铜铟镓砸的禁带宽度可以在1.04eV-1.67eV范围内调整;2)铜铟镓砸是一种直接带隙半导体,对可见光的吸收系数高达15Cnf1,铜铟镓砸吸收层厚度只需1.5-2.5μηι,整个电池的厚度为3-4μηι; 3)抗福照能力强,比较适合作为空间电源;4)转换效率高,2...
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