技术编号：10658600
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前制备黄色、绿色、蓝色、白色以及紫外发光二极管和激光二极管光电子器件，主要采用GaN材料。传统的GaN的生长是在诸如蓝宝石、硅、碳化硅衬底上进行的，可是这些衬底的晶格常数和热膨胀系数与GaN的相比相差很大，导致GaN基生长层形成高位错。高位错密度的存在限制了光电子器件性能的进一步提高，因此降低其位错密度势在必行。于是人们研发出，在蓝宝石衬底上先蒸镀一层二氧化硅层后，在该图形衬底上实施外延生长技术，以减少GaN基生长层的位错密度，提高晶体的品质，改善器件性...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。