技术编号:10658628
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。业界提供有磁阻存储器(MRAMMagnetoresistive Random Access Memory),是非易失性存储器的一种。发明内容本发明的实施方式涉及存储装置,降低外部磁场的影响。实施方式的存储装置具备磁性层,具有第一面及第二面,所述第二面位于所述第一面的相反侧;第一层,设置有第一电极及使所述磁性层的一部分露出的连接部,且位于所述第一面;第二层,具有第二电极,且位于所述第二面;存储器,搭载于所述第一层,且电阻根据磁化方向而变化;导电部,将所述存储...
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