基于hcpl-316j芯片的igbt驱动电路及开关电路的制作方法技术资料下载

技术编号:10660049

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绝缘概双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)工作安全,它集 功率晶体管GTR和功率场效应管M0SFET的优点于一身,具有自关断、开关频率高(10-40kHz) 的特点,是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。其中IGBT的驱动和保护是其应用中 的关键技术之一。 目前大多数的驱动集成电路采用直接驱动或隔离驱动的方式。常用的IGBT驱动模 块存在外围电路复杂、保护功能欠缺、工作稳定性和可靠性不足等缺陷。 I...
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