技术编号：10663769
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。提出了半导体装置。该装置包括半导体层，该半导体层包括碳化硅，并且具有第一表面和第二表面。栅极绝缘层设置于半导体层的第一表面的一部分上，并且栅极电极设置于栅极绝缘层上。该装置进一步包括氧化物，该氧化物设置于栅极绝缘层与栅极电极之间在与栅极电极的边缘相邻的拐角处，以便栅极绝缘层具有在拐角处比在层的中心处的厚度大的厚度。还提供用于制作装置的方法。专利说明 发明背景 本发明一般涉及碳化硅(Sic)半导体装置，并且更具体地，涉及具有M0S(金属氧化物半 导体)结构的...
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