技术编号:10663809
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。集成电路已使用双极结型晶体管许多年,利用其高增益特性来满足高性能及高电流驱动需求。举例来说,双极型晶体管尤其适合于高频率应用,例如在无线通信中。此外,绝缘体上硅(SOI)技术提供高频率电子装置的重要优点。如在SOI技术中为基本的,有源装置(例如晶体管)形成在形成于绝缘体层(例如通常被称作掩埋氧化物(BOX)的二氧化硅层)上方的单晶硅层中。掩埋氧化物层将有源装置与下伏衬底隔离,有效地消除到衬底的寄生非线性结电容且减少集电极到衬底电容。就块体晶体管的高频率性能...
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