技术编号:10663810
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在半导体存储器中,存在DRAM(Dynamic Random Access Memory)等易失性存储器 和闪存存储器等非易失性存储器。作为非易失性存储器,主流为NAND型闪存存储器,但在 20nm以后的设计规则中,NAND型闪存存储器已达到微型化的界限,而作为能够进行进一步 微型化的器件,ReRAM(Resistance RAM可变电阻式存储器)受到瞩目。 现有技术的ReRAM是由上部和下部铂(Pt)电极层夹着具有所期望的电阻值的金属 氧化物层的结构,...
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