用于形成非平面电阻式存储器单元的技术的制作方法技术资料下载

技术编号:10663811

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电阻式存储器(例如,电阻式随机存取存储器(ReRAM或RRAM))通常包括双端子器件,其中比较绝缘的开关层或介质位于两个导电电极之间。ReRAM器件典型地由一个晶体管(IT)或一个二极管(ID)连同一个电阻器(IR)构成,从而产生ITlR或IDlR的构造。ReRAM可以在两种不同的状态之间变化高电阻状态(HRS),其可以代表关断或O状态;以及低电阻状态(LRS),其可以代表接通或I状态。典型地,重置过程用于使用重置电压将ReRAM器件切换到HRS,并且置位...
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