技术编号：10663819

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在便携式电子应用中对集成电路(1C)的需求已经激发了节能晶体管。降低获得阈 值最小接通/关断漏极电流比率所需要的晶体管的操作电压是有利的。亚阈值斜率(SS)(用 mV/decade来表示)表征使漏极电流改变一个数量级所需要的栅极电压。在传统的FET技术 中，SS在室温(20°C)下具有大约60mV/dec的热限制。近来，在将SS提高到超过60mV/dec的努 力下，重燃了对在栅极叠置体内采用铁电材料(例如，BaTi0 3)的铁电FET的兴趣。铁电的内 部...
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