技术编号：10663832
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 对于过去几十年，集成电路中特征的缩放一直是持续增长的半导体工业背后的驱 动力。缩放到越来越小的特征使得半导体芯片的有限基板面积上的功能单元的密度增大。 例如，缩小晶体管的尺寸允许在芯片上结合更大数量的存储器件，实现更大存储器容量的 产品的制造。然而，对越来越大容量的驱动并非没有问题。优化每个器件的功率和性能的必 要性已经变得越来越显著。 在制造集成电路器件时，金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)可以用于复用 器逻辑功能并可以利用传输门复用器电路和...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。