技术编号：10666035
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着金属硅化物被广泛用于诸如CMOS的平面半导体器件，其中镍硅化物(N1-Silicide)被认为是最行之有效的降低接触电阻R。的金属硅化物。相比于诸如钛硅化物(T1-Silicide)、钴硅化物(Co-Silicide)等其它金属硅化物，镍硅化物具有低硅耗、低形成热预算、低电阻率和不存在线宽效应等诸多优点。但是，它的缺点是热稳定性差，在600°C开始结团，在750°C左右低阻NiSi开始向高阻的NiSi2转化，致使薄层电阻升高，器件性能退化。因此，为了提...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。