技术编号：10666058
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 高K金属栅极（HKMG)技术和嵌入式锗硅技术（简称锗硅技术）是半导体领域的 重要技术。在高K金属栅极技术中，高K介电层和金属栅极是最重要的部件，通常选用较厚 的高K介电材料来代替SiO 2，以获得更低的漏电流。选择与功函数层相匹配的包含所述高 K介电层的金属栅极。在所述高K介电层上方通常会形成TiN，用于在先高K介电层后金属 栅极工艺中去除虚拟栅极的过程中保护所述高K介电层，此外TiN还在NMOS和/或PMOS 中用作功函数层，TiN还作为最接近衬底的材...
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