技术编号:10666080
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。当元件发展至65纳米技术世代后,使用传统平面式(planar)的金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,M0S)晶体管制作工艺难以持续微缩,因此,现有技术提出以立体或非平面(non-planar)多栅极晶体管元件来取代平面式晶体管元件的解决途径。举例来说,双栅极(dual-gate)鳍式场效晶体管(Fin Field effect transistor,以下简称为FinFET)元件、三栅极(tr1-gate) FinFET元件...
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