技术编号：10666105
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 随着信息技术的发展，大量数字信息的存储对存储器件的要求越来越高，器件的 高性能、低成本，易加工一直是这个领域的不断追求的目标。近几十年来，最早的基于硅、 锗等无机半导体非易失性记忆存储器件，虽然性能高，但是其器件昂贵的制备成本和复杂 的工艺条件日益限制其进一步发展。特别是在当前柔性以及可穿戴设备迅猛发展的大趋势 下，基于无机材料的记忆存储器件的劣势日益突出，市场对高性能、低成本、易加工的新型 非易失性记忆存储器件的需求越来越迫切。 在这样的背景下，基于高...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。