技术编号：10678784
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 最近，半导体行业已发展到具有几纳米到几十纳米尺寸的图案的超精细技术。这 种超精细技术主要需要有效的光刻技术。 典型的光刻技术包含在半导体衬底上提供材料层；将光刻胶层涂布到其上；使 所述光刻胶层曝光并且显影以提供光刻胶图案；以及使用光刻胶图案作为掩模来蚀刻材料 层。 现如今，根据待形成的图案的小尺寸，仅仅通过上述典型光刻技术难以提供具有 极佳轮廓的精细图案。因此，可以在材料层与光刻胶层之间形成被称作硬掩模层的层来提 供精细图案。 硬掩模层起到中间层的作用，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。