技术编号：10680691
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。CzοchraI ski法(简称Cz法，又为提拉法)是目前应用最为广泛的一种恪体法晶体生长方法。在Cz法晶体生长过程中，将晶体生长的原料放在坩祸中加热熔化，获得一定的过热度。将固定于拉晶杆上的籽晶从熔体表面浸入熔体中，发生部分熔化后，缓慢向上提拉籽晶杆，并通过籽晶杆和肩部向环境散热。与籽晶接触的熔体首先获得一定的过冷度，而发生结晶。不断提拉籽晶杆，使结晶过程连续进行，从而实现连续的晶体生长。单斜氧化镓(Ga2O3)是一种宽禁带半导体材料(禁带宽度Eg=4....
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