技术编号:10680701
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。通过提拉法生长出的Nd3+= YAG晶体由于Nd2+的存在而出现氧缺位缺陷,因此常常需要对其进行补氧退火处理,即是说,通常需将Nd3+ = YAG晶体在有氧气的情况下进行退火。现有技术中,一般采用空气气氛下退火和纯氧气氛下退火,由于空气气氛下退火存在两个严重缺点一是空气中混入的杂质易对晶体造成二次污染,二是退火温度较高,晶体的亮度和透过率不理想,退火效率不高,因此现已普遍采用纯氧气氛下进行退火处理。例如中国专利CN103014873A公开了一种纯氧气氛退火...
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