技术编号：10685079
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在液晶显示器的制造过程中，光刻工艺是极为重要的制造工艺之一。光刻工艺中，需要对涂覆在阵列基板指定位置的光刻胶的参数(如光刻胶的厚度)进行检测。现有技术中有一种光刻胶的参数检测装置，该装置采用光的反射原理检测待测光刻胶的厚度，具体的，该装置采用光源照射阵列基板上的待测光刻胶，一部分光被待测光刻胶的表面反射，另一部分光被待测光刻胶与阵列基板之间的临界面反射。由于该装置得到的反射波是由同一光源发射出来的可干涉性光，所以这些反射波会根据波长出现互补干涉现象或相消干...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。