技术编号：10686056
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着液晶显示装置的不断发展，高显示质量与窄边框成为其发展趋势。随着高显示质量产品的单位面积像素个数PPI越来越高，像素充电时间越来越长。由于薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)沟道的宽/长比越大，其开态电流越大，为了满足产品的充电需求，需要增大TFT的宽/长比，在采用图形化掩膜板对形成TFT沟道区进行曝光时，现有的曝光设备的精度已无法将TFT沟道的长度进一步缩短，因此，不得不将TFT沟道的宽度不断增加，这将严重影响像素开口率，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。