技术编号：10686774
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体存储器件使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的半导体。半导体存储器件通常分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。在无恒定的电源的情况下，易失性存储器件不能维持储存的数据。易失性存储器件的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)等。即便在无恒定的电源的情况下，非易失性存储器件仍能够维持它们储存的数据。非易失性存储器件包括只读存储器(R0M)、可编程ROM(PROM...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。