技术编号：10688926
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。锑化镓(GaSb)是一种非常重要的II1-V族直接带隙半导体材料，其作为衬底生长的二元、三元、四元系半导体材料禁带宽度完全覆盖了2-5μπι中红外波段。AlSb、GaSb、InAs的晶格常数在6.1A附近，相互之间的晶格失配很小，有利于生长高质量低缺陷密度的外延材料，这使得GaSb成为研制II类超晶格中红外波段激光器、探测器的理想衬底材料。目前锑化镓基中红外激光器、探测器已广泛用于夜视、通讯、气象、大气监测、工业探伤、地球资源探测、测温等领域。GaSb单晶...
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