技术编号：10688929
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。作为半导体装置的一种，公知有具有三维构造的NAND型闪存器件。在具有三维构造的NAND型闪存器件的制造中进行这样的工序对通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜进行蚀刻，在该多层膜上形成深孔。这样的蚀刻记载在下述专利文献I中。具体而言，在专利文献I中记载有这样的方法将多层膜上具有掩模的被处理体暴露于处理气体的等离子体，从而进行该多层膜的蚀刻。然而，作为被蚀刻对象的被处理体中有时具有第I区域和第2区域，其中，该第I区域具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而...
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