技术编号:10688932
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘棚.双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT器件主要应用在中高压领域,器件击穿耐压达到600V以上,其常见终端结构是场限环(Field Limiting Ring)和场板(Field Plate)复合结构。如图1所示,I是P型主结,2是场...
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