技术编号：10689054
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。美国专利N0.7，550，781B2公开了集成III族氮化物功率器件，其具有至少两个半导体器件例如以半桥或全桥结构在公共管芯中的共同封装。美国专利N0.6,649,287B2公开了位于硅衬底上方的GaN层结构(缓冲材料)。美国专利N0.7，326，971B2公开了常关型基于GaN的HEMT (高电子迀移率器件)。发明内容—个实施例涉及一种集成半导体器件。该器件包括第一半导体器件、第二半导体器件和第三半导体器件。第一半导体器件和第二半导体器件被集成以形成半桥...
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