技术编号:10689152
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现有工艺制造屏蔽栅沟槽型MOSFET时,通常制造方法如下衬底上淀积氧化膜;定义沟槽图形;涂光刻胶,氧化膜刻蚀;去除光刻胶,刻蚀形成沟槽;淀积淀积氧化膜形成沟槽侧壁的硬掩膜层;淀积多晶硅;第一次多晶硅刻蚀,去除器件表面多晶硅;第二次多晶硅刻蚀,去除沟槽上半部的多晶硅;去除器件表面和沟槽上半部的硬掩膜层;通过热氧化在器件表面、沟槽侧壁和沟槽中剩余多晶硅的表面形成氧化膜作为硬掩膜层;淀积多晶硅,将沟槽填满通过离子注入和离子推进在两沟槽之间的衬底上形成体区;通过离...
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