技术编号:10689153
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公布了一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构,其结构依次为一P型锗沟道层;一N型掺杂的锗漂移层;一重N型掺杂的锗欧姆接触层;一硅锗与锗间隔的生长层作为漂移层;一P型掺杂的硅锗漂降场层;一深度达到P型锗沟道层的栅槽结构;一在栅槽内形成的氧化介质层;一在栅槽内形成的栅金属层;一在源漏区域形成的源漏金属电极。专利说明一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构本发明属于微电子领域,具体涉及一种锗基半导体LDM0SFET器件结构。背景技术基于硅基CMOS技术的集成电路...
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