技术编号：10689224
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。低表面浓度可组装p-n结晶体硅太阳能电池的结构从下往上依次包括背电极、背电场、P型硅、N+层、减反膜和正电极背电极、背电场和正电极负责电流收集;减反膜负责钝化、降低反射率的作用;P型硅和N+层形成p-n结，是光电转换的核心部件。p-n结的技术参数有3个电阻率、结深和方阻，且方阻=电阻率/结深，即电阻率越大，方阻越大;结深越大，方阻越小;表面浓度越大，正电极和硅接触更好，但表面载流子复合速率大;结深越大，载流子运动到P型硅表面的路径越长，载流子复合的数量越多...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。