技术编号：10689851
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 高功率半导体激光器在医疗器械、材料加工等领域具有广泛应用，近年来在市场 上的竞争力逐渐增强。单管半导体激光器出光功率低，因此半导体激光器通常以多个单元 集成cm-bar的方式实现高功率。温度是限制半导体激光器bar条的关键因素之一，温度变化 会引起禁带宽度、阈值电流、输出功率等性能指标的变化。 目前，常规结构的半导体激光器bar条往往中间发光单元温度高，温度分布不均 匀。目前还未见提高bar条发光单元温度均匀性的相关报道。发明内容 本发明提出一种新的半导...
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