技术编号：10693609
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 虽然下面举例说明用错前驱体化合物形成氧化错膜，但W下说明可同样适用于用 错前驱体化合物形成错膜或氮化错膜的情况。 具有大约25的高介电常数、大约5eV的宽带隙和大约大于2的高折射率的氧化错 (Zr〇2)具有良好的反应性并且还具有较好的化学稳定性。由于当氧化错接触娃(Si)界面 时，也呈现较好的热稳定性，所W目前为了在诸如动态随机访问存储器(DRAM)的半导体设 备制造过程中将其应用为栅极电介质膜或电容器电介质膜而正在开展各种研究。 在制造半导体设备的传统...
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